具体而言，DRAM 内存产业的营收将达 907 亿美元（IT之家备注：当前约 6602.49 亿元人民币），环比增长 75%；而 NAND 闪存产业的营收将达 674 亿美元（当前约 4906.37 亿元人民币），环比增长 77%。

　　展望 2025 年，该机构预计 DRAM 内存、NAND 闪存产业的营收还将分别出现 51% 和 29% 的环比增长，分别达到 1365 亿美元和 870 亿美元。

　　而驱动 DRAM 内存产业持续快速增长的主要因素包括四项：HBM 崛起、一般型 DRAM 产品世代演进、原厂资本支出限缩供给、服务器需求复苏。

　　其中 HBM 内存的火热将同步提升位元需求和产业平均价格，预估今年 HBM 将贡献 DRAM 位元出货量 5%，营收贡献则可达到 20%；

　　此外，服务器 DDR、移动 LPDDR 内存的世代更替同样也有助于高附加价值产品的渗透，进而推高 DRAM 内存平均价格。

　　对于 NAND 闪存来说，其明年产业增长动力除与 DRAM 内存相同的原厂资本支出限缩供给、服务器需求复苏外，还包括QLC 企业级固态硬盘的崛起和智能手机对 QLC UFS 闪存的导入。

　　北美云服务供应商已开始在 AI 推理服务器上大规模应用 QLC 企业级固态硬盘，尤其是 QLC 的大容量型号。

　　研报预计部分中国业者将从今年 4 季度起在智能手机中搭载 QLC UFS 存储，而苹果iPhone则将从 2026 年开始导入此类产品。

　　种种因素推动下，QLC 闪存将在今年贡献整体 NAND 位元出货量的 20%，明年这一数值还将进一步提升。

　　机构预估 DRAM 内存和 NAND 闪存产业在 2025 年的资本支出将同比增长 25% 和 10%，且有进一步上升势头。

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